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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
56
Autour de -143% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
3125
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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