RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
56
Autour de -115% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
26
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
3840
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link