RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
23
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
15
56
Autour de -273% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
21.0
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
15
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
23.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
21.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
4039
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link