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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
56
Autour de -37% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
41
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
3073
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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