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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
56
Autour de -155% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
3234
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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