RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
56
Autour de -143% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
2818
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link