RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
56
Autour de -47% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
2316
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link