RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
52
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
14900
Autour de 1.29 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
26
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
19200
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2173
3596
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link