RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Comparez
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Note globale
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
52
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
14900
Autour de 1.72 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
45
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
25600
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2173
3027
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Lenovo 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link