RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
3332
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link