RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
28
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
2818
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link