RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
3675
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link