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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
28
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
2619
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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