RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
28
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
2726
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link