RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Comparez
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Note globale
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Note globale
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
49
Autour de -104% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
24
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2427
2858
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link