RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Comparez
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Note globale
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
49
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
40
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2427
2254
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link