RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Comparez
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Note globale
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Note globale
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
52
Autour de 6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.9
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
52
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2427
2169
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link