RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Comparez
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Note globale
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
49
Autour de -88% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
26
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2427
3061
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link