Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Note globale
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Note globale
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    35 left arrow 49
    Autour de -40% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15.1 left arrow 10.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    11.3 left arrow 8.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 17000
    Autour de 1.25 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    49 left arrow 35
  • Vitesse de lecture, GB/s
    10.9 left arrow 15.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.7 left arrow 11.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2427 left arrow 2631
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons