RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
58
Autour de 12% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
58
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2591
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link