RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
51
Autour de -76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
29
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3086
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link