RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
51
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
26
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2394
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMZ4GX3M2A2000C10 2GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link