RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
51
Autour de -82% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3532
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link