RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
51
Autour de -104% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.7
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
25
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3911
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link