RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
51
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
26
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2579
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link