RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
51
Autour de -28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
40
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2981
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link