RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
51
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
37
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2836
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link