RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
51
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.3
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
34
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3249
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link