RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
51
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
34
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2516
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kllisre D4 8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link