RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
64
Autour de 20% latence réduite
Raisons de considérer
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
64
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2016
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link