RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
73
Autour de 30% latence réduite
Raisons de considérer
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
73
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
1712
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link