RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
51
Autour de -34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.9
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
38
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2690
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link