RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
51
Autour de -70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
30
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3636
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link