RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
51
Autour de -168% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
19
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3383
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link