RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
51
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
31
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3895
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link