RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
51
Autour de -113% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
24
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
18.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
4207
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905403-512.A00LF 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT25664AC800.M16FM 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link