RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
51
Autour de -82% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3660
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link