RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
51
Autour de -132% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
22
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
17.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
4014
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
UMAX Technology 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link