RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
51
Autour de -122% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
23
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3169
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link