RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
51
Autour de -113% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
24
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3843
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link