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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
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Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
51
Autour de -89% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
27
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2300
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Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
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