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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
51
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
33
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2876
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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