RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
51
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
35
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2841
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link