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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
51
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
39
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2397
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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