RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
51
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
35
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3049
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link