RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
51
Autour de -82% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
12800
Autour de 1.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
23400
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3419
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link