RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
51
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
34
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2584
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link