RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
54
Autour de 6% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.4
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
54
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2226
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link