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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Raisons de considérer
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
51
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
37
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3075
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
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