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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
51
Autour de -132% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
22
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2989
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
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